多層共擠導電袋
導電(dian)薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)荷(he)電(dian)載(zai)流子(zi)在(zai)輸運過(guo)程(cheng)(cheng)中(zhong)(zhong)受(shou)到表面(mian)和界面(mian)的(de)(de)(de)(de)散射，當薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)厚度可與電(dian)子(zi)的(de)(de)(de)(de)自(zi)由(you)程(cheng)(cheng)相(xiang)比擬時，在(zai)表面(mian)和界面(mian)的(de)(de)(de)(de)影響將變得顯著(zhu)，這個(ge)現象稱(cheng)為薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)尺寸效(xiao)應。它等效(xiao)于(yu)載(zai)流子(zi)的(de)(de)(de)(de)自(zi)由(you)程(cheng)(cheng)減小(xiao)，因此與同樣材料的(de)(de)(de)(de)塊體相(xiang)比，薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)電(dian)導率較(jiao)小(xiao)。由(you)于(yu)制備技術欠完善(shan)，通常(chang)薄(bo)膜(mo)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)缺陷濃度比較(jiao)高，主要缺陷為雜(za)質(zhi)、空位(wei)、填隙原子(zi)、位(wei)錯、晶界，以(yi)及表面(mian)和界面(mian)的(de)(de)(de)(de)吸(xi)附和偏析等。